新材料行业第三代半导体系列一:同质外延SiC需求广阔,掘金百亿高成长赛道-20230306-中信证券-33页.pdf

新材料行业第三代半导体系列一:同质外延SiC需求广阔,掘金百亿高成长赛道-20230306-中信证券-33页.pdf
本报告重点探讨了同质外延SiC的需求前景,并分析了SiC行业的发展趋势、竞争格局及投资策略。 **核心观点:** SiC 器件性能优越,下游应用广泛,在高功率应用上具有替代硅基产品的确定性,预计未来几年行业将保持高增速。 **SiC 产业链:** * **SiC 材料是核心:** SiC产业链包括单晶生长、衬底制备、外延生长、芯片制造、器件封装和终端应用等环节。 * **衬底技术壁垒高:** 衬底制备难度大,是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。 * **外延承上启下:** 外延生长是关键一环,外延可以优化衬底形貌,提升 SiC 器件性能与可靠性。 **SiC 市场格局:** * **海外占据主导:** 美欧日占据全球SiC产业主要市场,但国内企业有望快速发展。 * **国内快速追赶:** 天科合达、天岳先进等企业在衬底方面快速发展,东莞天域、瀚天天成等在外延方面也在快速扩张。 **SiC 需求驱动:** * **新能源车:** 电机驱动系统、车载充电系统、电源转换系统是SiC最大的市场,预计2025年需求118万片。 * **充电桩:** 高压充电桩解决充电速度和里程焦虑问题,预计2025年需求33万片。 * **光伏:** SiC可大幅改善光伏逆变器性能,预计2025年需求16万片。 * **整体:** 预计2025年中国导电型碳化硅需求量将达202万片,对应导电型SiC衬底市场约100亿元,同质外延片市场约191亿元。 **风险提示:** * 下游需求放量不及预期;技术渗透率提升速度不及预期;产能扩张速度不及预期;其他技术创新对SiC的影响。 **投资策略:** * 建议关注衬底环节技术优势且持续获得下游订单的天科合达、天岳先进、东尼电子、南砂晶圆,以及在外延环节持续扩张产能的龙头公司东莞天域、瀚天天成。 **重点公司:** * **天岳先进:** 半绝缘SiC衬底领先企业,募投项目持续扩张产能。 * **天科合达:** 导电型SiC衬底领先企业,8英寸产品有望23年量产。 * **东尼电子:** 导电型SiC衬底已量产交货,研发团队功底深厚。 * **南砂晶圆:** 与山东大学开展产学研合作,SiC衬底产品系列丰富。 * **东莞天域:** SiC外延片领军企业,规模体量国内领先。 * **瀚天天成:** 中美合资高新技术企业,产能规模扩张迅速。
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