micron-intro-to-memory-presentation—Memory简介.pdf

这份文档是 Micron 公司的“内存导论”培训材料,主要面向对半导体存储技术感兴趣的工程师、技术人员、实习生及新员工等。内容涵盖了半导体存储的基本概念、重要组件、工作原理以及不同类型的存储技术。
**核心内容:**
1. **半导体存储基础:**
* **存储的定义与类型:** 存储是利用数字技术存储信息的手段,分为易失性(DRAM)和非易失性(NAND Flash)两种。
* **存储的基本操作:** 读(READ)、写/编程(WRITE or PROGRAM)、擦除(ERASE)
* **二进制语言:** 电子系统使用二进制语言存储信息,信息由位 (BITs) 和字节 (BYTEs) 编码。
* **存储的演进:** 简要介绍了从穿孔卡片到光盘,再到今天的磁存储、DRAM、Flash 存储技术的存储发展历程。
2. **半导体器件概述:**
* **主要半导体器件类型:** 逻辑器件(CPU、GPU)、存储器件(DRAM、Flash、NOR)和特殊器件(CMOS 图像传感器、LEDs)。
* **半导体材料:** 重点介绍了硅材料,以及导电体、绝缘体和半导体的区别。
* **掺杂:** 通过掺杂改变硅的导电性,掺杂剂分为 N 型和 P 型。
* **重要半导体元件:** 电阻器、电容器、二极管和晶体管,描述了它们的功能。
3. **主要半导体元件工作原理**
* **电阻器:** 限制电流。
* **电容器:** 存储电荷。
* **二极管:** 允许电流单向流动。
* **MOSFET 晶体管:** 是一种 Field Effect Transistor (FET) ,用于控制电流。MOSFET 在开状态下导电,在关状态下不导电。
4. **DRAM(动态随机存取存储器)**
* **DRAM 存储单元:** 由一个晶体管和一个电容器组成,通过电容器的电荷来存储数据。
* **DRAM 工作原理:** 写入、读取和刷新。写入时,通过开启晶体管,将电荷存储到电容器中;读取时,检测电容器中是否存在电荷来判断存储的值;由于电荷会泄漏,需要定期刷新来保持数据。
* **DRAM 的演进:** 介绍了 DRAM 的发展历程,包括容量和密度的提升。
* **DRAM 的应用:** 包括智能手机、汽车 ADAS、数据中心、个人计算、游戏 PC 等领域。
5. **Flash 闪存**
* **Flash 存储单元:** 由控制栅极、浮动栅极、隧道氧化层和源极/漏极构成,通过在浮动栅极中捕获电子来存储数据。
* **NAND Flash 工作原理:** 通过在控制栅极施加高电压,使电子穿过栅极氧化层并被捕获在浮栅中实现编程(写入);通过施加电压到衬底实现擦除;通过检测浮栅中的电荷来读取数据。
* **NAND 与 NOR 的区别:** NAND 以串联方式连接存储单元,存储密度高,但速度较慢;NOR 以并联方式连接存储单元,速度快,但存储密度较低。
* **多级单元 (MLC) 技术:** 通过在一个存储单元中存储多个比特来提高存储密度,如 SLC、MLC、TLC、QLC。
* **NAND Flash 的发展:** 2D NAND 演进到 3D NAND 技术。
6. **各种内存类型的对比和总结**
* **主要内存类型的比较:** 介绍了 SRAM, DRAM, NAND, NOR 和硬盘的功耗,写入速度,读取速度和成本。
* **硅基存储技术总结:** 总结了 SRAM、DRAM、NAND 和 NOR Flash 的特性、速度、密度和应用。
7. **未来趋势**
* **最新的 1ẞ HBM 和 232 层 3D NAND 技术:** 介绍了 Micron 最新的 HBM 技术和 232 层 NAND 技术,体现了 Micron 在存储技术领域的领先地位。
* **QLC 技术和更高密度:** 介绍了 QLC(四层单元)闪存技术及其在提高存储密度方面的作用。
**其他:**
* 文档包含术语表,解释了常用术语。
* 文档还包含了 Micron 的版权声明和引用规范。
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